檢索結果：共7筆資料 檢索策略： "doping".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="洪儒生"
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在本論文中我們使用射極-濺鍍沉積參鎢氧化銦以及氫化氧化銦之透明導電膜，期望能利用該等材質較高的功函數以及光學透過特性應用於矽晶異質接面太陽能電池的製作上，以獲得較佳電池轉換效率之表現。實驗結果顯示，…
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本論文以平板式電漿輔助化學氣相沉積系統，成長矽薄膜摻雜層及非晶矽薄膜太陽能電池，分別以三丁基磷與三甲基硼為摻雜原料，成長n型及p型非晶矽薄膜、p型的非晶矽及p型微晶矽薄膜，並探討其光電性質。 在成長…
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In this work, hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) films deposited through very high fr…
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本研究目的在於利用化學氣相沉積以低溫製程下分別在玻璃、藍寶石、n型氮化鎵磊晶板以及p型氮化鎵磊晶板成長低電阻率且具有光學散射特性之粗糙表面摻鎵氧化鋅薄膜，以期望取代氧化銦錫作為藍光發光二極體之透明導…
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本研究目的在於利用化學氣相沉積的程序變化模式，尋找在低溫下成長低電阻率且具有光學散射特性之粗糙表面氧化鋅鎵薄膜，最終目標在用來取代氧化銦錫當作為藍光發光二極體的透明導電接觸層。 考慮鎵源先驅…
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數反應壓力及三甲基硼(TMB)摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以探求非晶…
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本研究以三甲基硼(TMB)為摻雜物，使用射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)於玻璃基材上成長p型非晶碳化矽以及p型微晶矽薄膜，並分析其結構及光電性質，期望能製備出適用於薄膜太陽能電池的p…